RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
42
Autour de -27% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
33
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
2973
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905469-107.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link