RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
42
Autour de -20% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
35
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
2841
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link