RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
42
Autour de -91% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.4
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.4
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
22
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
14.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
3394
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link