RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
42
Autour de -31% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.9
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.2
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
32
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
18.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
15.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
3621
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link