RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
42
Autour de -31% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
32
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
2900
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link