RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
53
Autour de 21% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10.6
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
53
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
10.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
7.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
2333
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link