RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
42
Autour de -45% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.2
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
29
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
13.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
2284
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link