RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
42
Autour de -8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.3
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.4
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
39
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
13.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
9.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
2419
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB Comparaison des RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link