RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
42
Autour de -35% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.7
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.5
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
31
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
19.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
17.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
3935
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link