RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
90
Autour de 53% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
8.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
90
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
1743
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link