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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Comparez
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Note globale
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
19.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,072.7
16.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
75
Autour de -200% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
75
25
Vitesse de lecture, GB/s
2,730.3
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,072.7
16.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
858
3933
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
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