RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Comparez
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Note globale
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Note globale
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
65
Autour de -110% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.6
1,574.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
31
Vitesse de lecture, GB/s
3,858.9
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,574.4
15.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
607
3553
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link