RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Comparez
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Note globale
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
65
Autour de -71% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
1,574.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
38
Vitesse de lecture, GB/s
3,858.9
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,574.4
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
607
2536
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link