RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Comparez
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Note globale
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
65
Autour de -195% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.5
1,574.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
22
Vitesse de lecture, GB/s
3,858.9
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,574.4
10.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
607
2738
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link