RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Comparez
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Note globale
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
65
Autour de -242% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
1,574.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
19
Vitesse de lecture, GB/s
3,858.9
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,574.4
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
607
3290
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link