RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Comparez
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Note globale
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Note globale
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,201.1
16.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
74
Autour de -85% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
74
40
Vitesse de lecture, GB/s
4,178.4
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,201.1
16.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
508
3119
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link