RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Comparez
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Note globale
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,201.1
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
74
Autour de -100% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
74
37
Vitesse de lecture, GB/s
4,178.4
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,201.1
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
508
3170
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link