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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Comparez
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Note globale
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,201.1
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
74
Autour de -164% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
74
28
Vitesse de lecture, GB/s
4,178.4
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,201.1
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
508
3359
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB Comparaison des RAM
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
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