RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Comparez
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Note globale
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,201.1
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
74
Autour de -95% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
74
38
Vitesse de lecture, GB/s
4,178.4
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,201.1
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
508
2536
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link