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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Comparez
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Note globale
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,201.1
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
74
Autour de -118% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
74
34
Vitesse de lecture, GB/s
4,178.4
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,201.1
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
508
3206
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
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G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
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