RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Comparez
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Note globale
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
20.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,201.1
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
74
Autour de -289% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
74
19
Vitesse de lecture, GB/s
4,178.4
20.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,201.1
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
508
3801
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
‹
›
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link