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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Comparez
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Note globale
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,201.1
14.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
74
Autour de -147% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
74
30
Vitesse de lecture, GB/s
4,178.4
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,201.1
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
508
3373
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
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Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
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