RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Comparez
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Note globale
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
20.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,201.1
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
74
Autour de -139% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
74
31
Vitesse de lecture, GB/s
4,178.4
20.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,201.1
16.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
508
3823
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8G 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link