RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Comparez
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Note globale
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Note globale
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,201.1
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
74
Autour de -208% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
74
24
Vitesse de lecture, GB/s
4,178.4
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,201.1
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
508
3049
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link