RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Comparez
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Note globale
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Note globale
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,201.1
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
74
Autour de -252% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
74
21
Vitesse de lecture, GB/s
4,178.4
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,201.1
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
508
3211
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link