Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Kingston KV0M5R-HYD 8GB

Note globale
star star star star star
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Note globale
star star star star star
Kingston KV0M5R-HYD 8GB

Kingston KV0M5R-HYD 8GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    4 left arrow 13.3
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    48 left arrow 74
    Autour de -54% latence réduite
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    8.5 left arrow 2,201.1
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    25600 left arrow 6400
    Autour de 4 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    74 left arrow 48
  • Vitesse de lecture, GB/s
    4,178.4 left arrow 13.3
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    2,201.1 left arrow 8.5
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • Description
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    508 left arrow 2398
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons