RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Comparez
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Note globale
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Note globale
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,201.1
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
74
Autour de -95% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
74
38
Vitesse de lecture, GB/s
4,178.4
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,201.1
10.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
508
2400
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link