RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Comparez
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Note globale
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Note globale
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
19.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,201.1
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
74
Autour de -270% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
74
20
Vitesse de lecture, GB/s
4,178.4
19.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,201.1
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
508
3404
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link