RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
73
Autour de -135% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
31
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
2477
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link