RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
73
Autour de -217% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
23
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
3025
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB Comparaison des RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology EXTREME DDR2 1066+ 2GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link