RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
73
Autour de -217% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
23
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
3130
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link