RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
73
Autour de -161% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
28
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
3299
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link