RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
73
Autour de -192% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
25
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
2466
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link