RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
73
Autour de -161% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
28
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
3398
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link