RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
73
Autour de -181% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.0
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
26
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
10.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
2389
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link