RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
73
Autour de -115% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
34
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
2588
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link