RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
73
Autour de -265% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.0
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
20
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
19.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
16.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
3465
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB Comparaison des RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
MDT Technologies GmbH MDT 512M DDR2-66 512MB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology DDR3 1600+ 2GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link