RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
73
Autour de -284% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
19
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
19.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
3310
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link