RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
21.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
73
Autour de -152% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.3
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
21.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
17.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
4506
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link