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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
73
Autour de -217% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.7
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
23
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
6.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
2339
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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