RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
73
Autour de -232% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
22
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
3182
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link