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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
73
Autour de -128% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
32
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
3122
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
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Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
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Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
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