RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston XN205T-MIE 16GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
Kingston XN205T-MIE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston XN205T-MIE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
73
Autour de -135% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
31
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
3522
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB Comparaison des RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link