RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
73
Autour de -59% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
46
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
2961
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB Comparaison des RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link