RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
73
Autour de -161% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
28
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
2833
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link