RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
51
73
Autour de -43% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
51
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
2687
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link