Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Note globale
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

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Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    3 left arrow 12
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    28 left arrow 73
    Autour de -161% latence réduite
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    9.1 left arrow 1,423.3
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    17000 left arrow 5300
    Autour de 3.21 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    73 left arrow 28
  • Vitesse de lecture, GB/s
    3,510.5 left arrow 12.0
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    1,423.3 left arrow 9.1
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • Description
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    476 left arrow 2347
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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