RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
73
Autour de -115% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
34
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
13.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
2608
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link