RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
73
Autour de -152% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
13.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
2464
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link