RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Comparez
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Note globale
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
73
Autour de -121% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.0
1,423.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
33
Vitesse de lecture, GB/s
3,510.5
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,423.3
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
476
2608
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link